概述
氨逃逸在線(xian)分(fen)析系統是天禹智控(kong)自主研(yan)發新(xin)型在線(xian)監(jian)測系統,該(gai)產品基于可(ke)調諧(xie)激光吸收光譜(pu)技術(TDLAS)的原(yuan)理,可(ke)測量NH3、H2S、HCL、HF等氣(qi)體(ti)濃(nong)度。預處理系統采用熱濕(shi)法(fa)設計,該(gai)系統具有靈敏度高(gao)、響應(ying)速度快、不受背景氣(qi)體(ti)干擾(rao)、非接觸式(shi)光學測量等特點,為實(shi)時(shi)準確地反(fan)映逃逸氨的變(bian)化提供了可(ke)靠(kao)保(bao)證。
產品特點
● 采用熱(re)濕取樣方法,不受現場安裝條件的限制,適用性廣,使用和(he)維護簡單(dan);
● 可靠的(de)長光(guang)程(cheng)加(jia)熱氣室(shi)設計;
● 超低濃度測量,分辨率可達0.1ppm;
● 高溫(wen)取樣(yang),涂層氣(qi)室,取樣(yang)損失小于0.1ppm/米;
● 免標定設計,維護簡單,使用成本低;
可調諧半導體激光吸收光譜(TDLAS)
1.可調諧半導體激光吸收光譜(TDLAS)
該技術主要是利用(yong)可調諧半導體(ti)激光器的(de)窄線寬和(he)波長隨注(zhu)入(ru)電流改變的(de)特(te)性實(shi)現對(dui)分(fen)(fen)子的(de)單個或(huo)幾個距離很(hen)近很(hen)難分(fen)(fen)辨的(de)吸(xi)收線進行測量。
2.可調諧半導體激光吸收光譜原理
TDLAS通常是(shi)(shi)用單(dan)一(yi)窄帶(dai)的(de)激光頻率掃描一(yi)條獨立的(de)氣體吸收線。為了(le)(le)實(shi)現高的(de)選擇性,分析(xi)一(yi)般在低(di)壓下進(jin)行(xing),這時吸收線不會因為壓力而加寬。這種測(ce)量(liang)方法是(shi)(shi)Hinkley和Reid提出的(de),現在已經(jing)發展成為了(le)(le)靈敏(min)和常用的(de)大氣中痕量(liang)氣體的(de)監測(ce)技術。
3.可調諧半導體激光吸收光譜的主要特點包括
(1) 高選(xuan)擇(ze)性(xing),高分辨率的(de)光譜技(ji)術(shu),由于(yu)分子光譜的(de)“指紋”特(te)征,它(ta)不受其它(ta)氣體的(de)干擾。這一特(te)性(xing)與其它(ta)方法相比有明顯(xian)的(de)優勢。
(2) 它(ta)是一種(zhong)對所有(you)在(zai)紅外有(you)吸(xi)收的(de)(de)活躍分子都有(you)效(xiao)的(de)(de)通(tong)用技術(shu),同(tong)樣(yang)的(de)(de)儀(yi)器(qi)(qi)(qi)可(ke)以方(fang)便的(de)(de)改(gai)成(cheng)測(ce)量(liang)其(qi)它(ta)組分的(de)(de)儀(yi)器(qi)(qi)(qi),只需要改(gai)變激光器(qi)(qi)(qi)和標準(zhun)氣。由于(yu)這(zhe)個特(te)點,很容易就能(neng)將其(qi)改(gai)成(cheng)同(tong)時(shi)測(ce)量(liang)多組分的(de)(de)儀(yi)器(qi)(qi)(qi)。
(3) 它具有速(su)度(du)快,靈敏度(du)高的(de)優點。在不失靈敏度(du)的(de)情況(kuang)下,其時間(jian)分辨率(lv)可(ke)以在ms量(liang)級。應用該技術的(de)主要領(ling)域有:分子光譜研(yan)究、工業過(guo)程(cheng)監測控制、燃燒過(guo)程(cheng)診斷分析、發動機效率(lv)和機動車尾(wei)氣測量(liang)、爆炸檢測、大氣中痕量(liang)污(wu)染氣體(ti)監測等(deng)。
技術參數
技(ji)術(shu)參(can)數 |
測量原(yuan)理(li) |
TDLAS |
量程 |
0-10ppm(可(ke)定制) |
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分辨率 |
0.1ppm |
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重復性(xing) |
≤1%FS |
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響應時間 |
15s |
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漂移 |
≤±1%FS |
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功能參數 |
預熱時(shi)間(jian) |
30min |
電源 |
AC 220V ±10V 50Hz |
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數字輸出 |
RS232/485、繼電器輸出 |
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模擬輸(shu)出 |
4-20mA最大負載900Ω |
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負載能力(li) |
AC/DC 24V/1A;濃度超限報(bao)警(jing)、透(tou)過率異(yi)常報(bao)警(jing)、激光(guang)器溫度異(yi)常報(bao)警(jing) |
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安(an)裝(zhuang)方式 |
抽取式(shi)原位安裝 |
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環境參數(shu) |
相對(dui)濕度 |
≤90% RH,無(wu)結露(lu) |
環境溫度(du) |
20~55℃ |
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采樣(yang)流量(liang) |
≤3L/min |
典型應用
廣泛應(ying)用(yong)于燃煤發(fa)電(dian)廠(chang)、水泥廠(chang)、鋁廠(chang)、鋼鐵廠(chang)、冶煉廠(chang)、玻(bo)璃廠(chang)、垃(la)圾發(fa)電(dian)廠(chang)、化工廠(chang)等SCR或SNCR脫硝(xiao)裝置(zhi)的氨氣逃逸排放監(jian)測和(he)過(guo)程控制。
“氨逃逸”指的(de)(de)是(shi)(shi)SCR脫(tuo)(tuo)硝反(fan)應器(qi)出口(kou)測量出的(de)(de)氨濃度,單位ppm.因為氨本身的(de)(de)易揮發的(de)(de)特性,只要是(shi)(shi)有氨參(can)與(yu)反(fan)應的(de)(de)場所(suo)都有揮發、都有未參(can)與(yu)反(fan)應的(de)(de)氨的(de)(de)存在(zai),這部(bu)分的(de)(de)氨就是(shi)(shi)所(suo)謂的(de)(de)氨逃(tao)逸(yi).在(zai)SCR脫(tuo)(tuo)硝中,為了(le)減少運(yun)行(xing)成本,降低氨逃(tao)逸(yi)對鍋爐下游設備的(de)(de)腐蝕,要盡(jin)量將氨逃(tao)逸(yi)控(kong)制在(zai)一定范圍內,一把SCR,反(fan)應器(qi)出口(kou)的(de)(de)氨逃(tao)逸(yi)一般不超過3ppm.
根據國家最新的(de)標(biao)準(zhun)規(gui)定,SNCR脫銷氨(an)(an)逃(tao)逸標(biao)準(zhun)為8mg/m3(10ppm),SCR脫銷氨(an)(an)逃(tao)逸標(biao)準(zhun)為2.5mg/m3(3ppm).
氨逃(tao)逸(yi)濃(nong)度3ppm等于2.28mg/m.
氨逃逸率(lv):一般(ban)來說(shuo),為SCR脫(tuo)硝(xiao)和SNCR脫(tuo)硝(xiao)工藝(yi)出口,未參與還(huan)原反應的NH3與出口煙氣(qi)總量(liang)的體積(ji)占比,一般(ban)計量(liang)單(dan)位(wei)為PPM, 如果用質量(liang)占比,為mg/M3. 也叫(jiao)氨逃(tao)逸濃(nong)度.
理(li)論(lun)上脫(tuo)(tuo)硫(liu)循環(huan)液(ye)滴(di)定度為15時,脫(tuo)(tuo)硫(liu)效果是徹底的(de)(de),但(dan)氨(an)(an)逃逸(yi)比較(jiao)厲(li)害(hai),經過我們實際運行經驗(yan)一般(ban)控制在(zai)10~12個滴(di)定度時,脫(tuo)(tuo)硫(liu)效果能(neng)達到98%-99% 而(er)且氨(an)(an)逃逸(yi)較(jiao)少,基本上SO2都能(neng)達到國(guo)家排放標準(zhun),當然通(tong)過雙塔結構降(jiang)低脫(tuo)(tuo)硫(liu)液(ye)的(de)(de)溫度,來降(jiang)低氨(an)(an)的(de)(de)逃逸(yi)也(ye)是可以的(de)(de)。
天(tian)禹智(zhi)控,10年+以上氣體監(jian)測行業經驗,專業逃逸氨在線(xian)監(jian)測研(yan)發生產銷售服務實力廠家,自有(you)廠房,可一件代(dai)發(fa)、OEM、加工定制(zhi),量大優惠!!!歡迎咨詢。
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1. 維護期
系(xi)統完(wan)成(cheng)驗收后(hou)(hou)開(kai)始,提供免(mian)費(fei)(fei)的(de)約定質保(bao)維護(hu)周(zhou)期,免(mian)費(fei)(fei)維護(hu)期滿后(hou)(hou)進入有償服務期,具體費(fei)(fei)用由雙方另行友好(hao)協商確定。
2.維護內容
(1)系統(tong)需求定義范圍內(nei)的功能上錯誤和(he)漏洞
(2)由于系(xi)統配置的(de)(de)問題所導致的(de)(de)某(mou)些功能障礙(ai)
(3)下列(lie)問(wen)題不在(zai)免(mian)費維(wei)護(hu)范圍(wei)內
a.由于(yu)用戶自行(xing)修改產品所造(zao)成的錯誤
b.由(you)于連入(ru)到(dao)本系統中的其他現有應用系統所出(chu)現的錯誤,或(huo)因其他應用系統的修(xiu)改/變動對(dui)本系統所產生的影響及錯誤。
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